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沈陽東創貴金屬材料有限公司
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對圓周方向的電阻值的不均勻依然無法改善。
此外，采用連續硫化法時，純銀靶材哪家好，如果硫化時的熱傳遞沒有設法盡量達到均勻，則擠壓后的硫化速度不一致，這樣可能電阻值的不均勻程度反而大于間歇式硫化法。特別是在圓周方向上這種傾向更顯著。
采用連續硫化法時，在擠壓機的擠壓筒內的半徑方向上有非常大的剪切速度分布，這可能會影響電子導電性填充劑的分散。
各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，純銀靶材生產加工，濺射靶材及濺射技術的同步發展，純銀靶材加工，極大地滿足了各種新型電子元器件發展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線。
在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，山東純銀靶材，同高壓電場組成正交電磁場。
超純金屬的制備有化學提純法如精餾（特別是金屬氯化物的精餾及氫還原）、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區熔提純等（見硅、鍺、鋁、銦）。其中以區熔提純或區熔提純與其他方法相 結合有效。
由于容器與藥劑中雜質的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，只有用化學方法將金屬提純到一定純度之后，再用物理方法如區熔提純，才能將金屬純度提到一個新的高度。可以用半導體材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測的原理（見區域熔煉）。
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第9年
