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主營：175度晶振,150度單片機(jī),150度存儲器,175度電容
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晶振
石英晶體振蕩器的基本原理
諧振頻率
從石英晶體諧振器的等效電路可知，石油200度直插晶振參數(shù)，它有兩個諧振頻率，即（1）當(dāng)L、C、R支路發(fā)生串聯(lián)諧振時，它的等效阻抗很?。ǖ扔赗）。串聯(lián)揩振頻率用fs表示，石英晶體對于串聯(lián)揩振頻率fs呈純阻性，（2）當(dāng)頻率高于fs時L、C、R支路呈感性，石油230度直插晶振參數(shù)，可與電容C。發(fā)生并聯(lián)諧振，其并聯(lián)頻率用fd表示。
根據(jù)石英晶體的等效電路，直插晶振，可定性畫出它的電抗—頻率特性曲線如圖2e所示?？梢姰?dāng)頻率低于串聯(lián)諧振頻率fs或者頻率高于并聯(lián)揩振頻率fd時，石英晶體呈容性。僅在fs＜f＜fd極窄的范圍內(nèi)，石英晶體呈感性。
晶振指標(biāo)
標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。
頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25℃±2℃）下相對于標(biāo)稱頻率的偏差。
調(diào)整頻差：在溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值允許頻率偏差。
負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時（產(chǎn)生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
晶振
晶振的指標(biāo)
總頻差：在規(guī)定的時間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱頻率的很大偏差。
說明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率老化率造成的偏差、頻率電壓特性和頻率負(fù)載特性等共同造成的很大頻差。一般只在對短期頻率穩(wěn)定度關(guān)心，而對其他頻率穩(wěn)定度指標(biāo)不嚴(yán)格要求的場合采用。例如：精密制導(dǎo)雷達(dá)。
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第11年
