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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
主營：貴金屬材料
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綁定的適用范圍
技術上來說表面平整可進行金屬化處理的靶材都可以用我司銦焊綁定技術綁定銅背靶來提高濺射過程的散熱性、提高靶材利用率。
建議綁定的靶材：
ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結靶材；
錫、銦等軟金屬靶；
靶材太薄、靶材太貴的情況等。
但下列情況綁定有弊端：
1.熔點低的靶材，貴金屬靶材生產加工，像銦、硒等，貴金屬靶材報價，金屬化的時候可能會變軟變形；
2.貴金屬靶材，一是實際重量易出現分歧，二是金屬化以及解綁的時候都會有浪費料，建議墊一片銅片。
在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特點。如今開發(fā)出來的磁光盤，貴金屬靶材，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經過研究發(fā)現，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。
對圓周方向的電阻值的不均勻依然無法改善。
此外，貴金屬靶材工藝，采用連續(xù)硫化法時，如果硫化時的熱傳遞沒有設法盡量達到均勻，則擠壓后的硫化速度不一致，這樣可能電阻值的不均勻程度反而大于間歇式硫化法。特別是在圓周方向上這種傾向更顯著。
采用連續(xù)硫化法時，在擠壓機的擠壓筒內的半徑方向上有非常大的剪切速度分布，這可能會影響電子導電性填充劑的分散。
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第9年
