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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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超純金屬的制備有化學(xué)提純法如精餾（特別是金屬氯化物的精餾及氫還原）、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區(qū)熔提純等（見硅、鍺、鋁、銦）。其中以區(qū)熔提純或區(qū)熔提純與其他方法相 結(jié)合有效。
由于容器與藥劑中雜質(zhì)的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，甘肅金圓柱靶，只有用化學(xué)方法將金屬提純到一定純度之后，再用物理方法如區(qū)熔提純，才能將金屬純度提到一個新的高度。可以用半導(dǎo)體材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測的原理（見區(qū)域熔煉）。
平面顯示器（FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場，金圓柱靶廠家，亦將帶動ITO靶材的技術(shù)與市場需求。如今的iTO靶材有兩種．一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦混合后燒結(jié)，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫臺金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取方法生產(chǎn)ITO靶材，利用L}IRF反應(yīng)濺射鍍膜．它具有沉積速度快．且能控制膜厚，電導(dǎo)率高，哪家有金圓柱靶，薄膜的一致性好，與基板的附著力強等優(yōu)點。
在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，金圓柱靶報價，過99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。
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