光刻膠膜厚儀的測(cè)量原理主要基于光學(xué)干涉和反射原理。該儀器發(fā)出特定波長(zhǎng)的光波，這些光波穿透光刻膠膜層。在穿透過(guò)程中，光的一部分在膜層的上表面反射，另一部分在膜層的下表面反射。這兩個(gè)反射光波之間會(huì)產(chǎn)生相位差，這個(gè)相位差受到薄膜的厚度和折射率的影響。當(dāng)相位差為波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)，上下表面的反射光波會(huì)產(chǎn)生建設(shè)性疊加，使得反射光的強(qiáng)度增強(qiáng)，此時(shí)反射率達(dá)到最大。而當(dāng)相位差為波長(zhǎng)的半整數(shù)倍時(shí)，反射光波會(huì)發(fā)生破壞性疊加，導(dǎo)致反射光強(qiáng)度減弱，反射率達(dá)到最低。對(duì)于其他相位差，反射率則介于最大和最小之間。通過(guò)測(cè)量反射光的強(qiáng)度，并與已知的光學(xué)參數(shù)進(jìn)行比較，可以推導(dǎo)出光刻膠膜的厚度。此外，儀器還可以根據(jù)反射光的角度分布或其他特性，進(jìn)一步確定光刻膠膜的其他相關(guān)參數(shù)，如均勻性和表面形貌等。光刻膠膜厚儀的測(cè)量原理不僅具有高精度和高可靠性的優(yōu)點(diǎn)，而且非接觸式測(cè)量方式不會(huì)對(duì)光刻膠膜造成損傷，適用于各種類型的光刻膠膜厚測(cè)量需求。在半導(dǎo)體制造、微電子器件等領(lǐng)域中，光刻膠膜厚儀發(fā)揮著重要作用，為工藝控制和產(chǎn)品質(zhì)量提供了有力保障。